# : НИИ \
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН

Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН
Статуc: СО РАН
Адрес: г., пр. Академика Лаврентьева, д. 13
Контакты:
Телефон: +7 (383) 3333950
Web-адрес: http://www.isp.nsc.ru/
E-mail: postmaster@isph.nsc.ru
Диссертационные советы:
  • Д 003.037.01
  • Описание:
    НАПРАВЛЕНИЕ ДЕЯТЕЛЬНОСТИ: физика полупроводников и диэлектриков; физико-химические основы микро-наноэлектроники, микро-фотоэлектроники, акустоэлект -роники; оптика, квантовая электроника.

    ПОСТАВИТ: полупроводниковые эпитаксиальные многослойные структуры любыми партиями; экологический комплекс для изучения вод, почвы и воздуха по договору; технический тепловизор для изучения тепловых потерь в строящихся и эксплуатирующихся зданиях и коммуникациях; низкофоновые TV-видеокамеры; прицелы ночного видения для обнаружения, мониторинга и прицеливания.

    ОКАЖЕТ УСЛУГИ: по запуску технологии производства полупроводниковых эпитаксиальных многослойных структур у потребителя; по постановке способов контроля загрязнения окружающей среды (продуктов питания, материалов, вод, суши и пр.); по обучению персонала эксплуатации поставляемых приборов; по гарантийному обслуживанию поставляемых приборов.