Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН |
Статуc: СО РАН Адрес: г.Новосибирск, пр. Академика Лаврентьева, д. 13 |
Контакты: |
Телефон: +7 (383) 3333950 Web-адрес: http://www.isp.nsc.ru/ E-mail: postmaster@isph.nsc.ru |
Диссертационные советы: |
Описание: |
НАПРАВЛЕНИЕ ДЕЯТЕЛЬНОСТИ: физика полупроводников и диэлектриков; физико-химические основы микро-наноэлектроники, микро-фотоэлектроники, акустоэлект -роники; оптика, квантовая электроника. ПОСТАВИТ: полупроводниковые эпитаксиальные многослойные структуры любыми партиями; экологический комплекс для изучения вод, почвы и воздуха по договору; технический тепловизор для изучения тепловых потерь в строящихся и эксплуатирующихся зданиях и коммуникациях; низкофоновые TV-видеокамеры; прицелы ночного видения для обнаружения, мониторинга и прицеливания. ОКАЖЕТ УСЛУГИ: по запуску технологии производства полупроводниковых эпитаксиальных многослойных структур у потребителя; по постановке способов контроля загрязнения окружающей среды (продуктов питания, материалов, вод, суши и пр.); по обучению персонала эксплуатации поставляемых приборов; по гарантийному обслуживанию поставляемых приборов. |